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IRL2505PBF

IRL2505PBF JSMicro

IRL2505PBF-jsmicro.pdf
Produktcode: 191359
Hersteller: JSMicro
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 217 Stück:
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Technische Details IRL2505PBF JSMicro

  • MOSFET, N, 55V, 104A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:104A
  • On State Resistance:0.008ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:360A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRL2505PBF IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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Hersteller : IR irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl2505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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35+2.04 EUR
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl2505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2505PBF Hersteller : IR irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 Транз. Пол. БМ N-HEXFET logik TO220AB Udss=55V; Id=104A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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IRL2505PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 104; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 5 В; Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; TO-220AB
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies irl2505pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL2505_DataSheet_v01_01_EN-3363464.pdf MOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
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JHGF: THT
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IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
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JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Vrrm(V): 40
If(A): 40
VF@IF: 0,49
Bemerkung: 2x20
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 230 A
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Гибкий шланг для СОЖ G1/2 500мм с краном
Produktcode: 173773
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Гибкий шланг для СОЖ G1/2 500мм с краном
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Mechanische Komponenten
Опис: Гнучкий шланг з краном для подачі охолоджуючої рідини до робочого інструменту. Довжина: 500мм. Різьба 1/2 трубна
Призначення: Аксесуари
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