IRL2505PBF JSMicro
Produktcode: 191359
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Lieblingsprodukt
Hersteller: JSMicro
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1204/17,9
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
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Technische Details IRL2505PBF JSMicro
- MOSFET, N, 55V, 104A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:104A
- On State Resistance:0.008ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2V
- Min Voltage Vgs th:1V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:360A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRL2505PBF nach Preis ab 2.33 EUR bis 2.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRL2505PBF Produktcode: 27992
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 104 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung: 44 St.
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| IRL2505PBF | Infineon |
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| IRL2505PBF | International Rectifier |
TO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| IRL2505PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| IRL2505PBF | JSMSEMI |
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| IRL2505PBF | VBSEMI |
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
|
IRL2505PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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IRL2505PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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IRL2505PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL2505PBF Produktcode: 27992
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 44 St.
- 44 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.58 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRL2505PBF |
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
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Hersteller: International Rectifier
TO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Транзистори
TO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
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Hersteller: JSMSEMI
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
![]() |
Hersteller: VBSEMI
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
MOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| 100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2980
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1299 St.
- 1299 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.14 EUR |
| 11+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |
| 74AHC1G08GV Produktcode: 18687
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-753
Beschreibung: Logikgatter Einzel-2-Eingang AND
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...5,5 В
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: UND-Gatter
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-753
Beschreibung: Logikgatter Einzel-2-Eingang AND
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...5,5 В
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: UND-Gatter
auf Bestellung: 464 St.
- 464 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.14 EUR |
| 11+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.082 EUR |
| SM4007 Produktcode: 20786
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: DC/SMK/KINGTRONIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-213 (MELF)
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: SM4001, SM4002, SM4003, SM4004, SM4005, SM4006
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-213 (MELF)
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: SM4001, SM4002, SM4003, SM4004, SM4005, SM4006
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
verfügbar: 590 St.
- 590 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1720 St.
- 1720 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.12 EUR |
| 12+ | 0.1 EUR |
| 100+ | 0.086 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |
| IRL2505PBF Produktcode: 27992
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 44 St.
- 44 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.58 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRLML0100TRPBF Produktcode: 38413
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 180 St.
- 180 St. - stock Köln
auf Bestellung: 6 St.
- 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |








