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IRL2505PBF

IRL2505PBF JSMicro

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Produktcode: 191359
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Hersteller: JSMicro
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL2505PBF JSMicro

  • MOSFET, N, 55V, 104A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:104A
  • On State Resistance:0.008ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:360A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRL2505PBF IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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Hersteller : IR irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirl2505datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRL2505PBF Hersteller : Infineon irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRL2505PBF Hersteller : International Rectifier irl2505pbf.pdf TO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRL2505PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irl2505pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRL2505PBF Hersteller : JSMSEMI irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRL2505PBF Hersteller : VBSEMI irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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IRL2505PBF IRL2505PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL2505_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
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74AHC1G08GV
Produktcode: 18687
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74ahc_ahct1g08-354421.pdf
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-753
Beschreibung: Logic Gates SINGLE 2-INPUT AND
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2...5,5 V
T°C: -40…+125°C
Тип логіч. елем.: AND
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SM4007
Produktcode: 20786
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SM4001-4007.pdf
SM4007
Hersteller: YJ/DC/SMK
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-213 (MELF)
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: SM4001, SM4002, SM4003, SM4004, SM4005, SM4006
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
verfügbar: 1014 St.
590 St. - stock Köln
424 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 St.
2000 St. - erwartet
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IRL2505PBF
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IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
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IRLML0100TRPBF
Produktcode: 38413
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irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8
IRLML0100TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
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JHGF: SMD
verfügbar: 821 St.
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Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.14 EUR
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SS8550-H
Produktcode: 160700
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ss8550-l_thru_ss8550-h-sot23.pdf
SS8550-H
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350
auf Bestellung 3083 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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