IRL2910STRRPBF Infineon Technologies
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| 68+ | 2.32 EUR |
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Technische Details IRL2910STRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRL2910STRRPBF nach Preis ab 2.32 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
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IRL2910STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET PLANAR >= 100V |
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