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IRL3705NPBF

IRL3705NPBF

irl3705n-datasheet.pdf
Produktcode: 24017
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3705NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:77A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:130W
  • Power Dissipation Pd:130W
  • Pulse Current Idm:310A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
auf Bestellung 1583 Stücke:
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26+2.85 EUR
39+1.84 EUR
44+1.63 EUR
50+1.49 EUR
100+1.34 EUR
250+1.19 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon-IRL3705N-DS-v01_02-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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4+4.93 EUR
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
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MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
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Supplier Device Package: TO-220AB
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Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2936 St.
  • 198 St. - stock Köln
  • 2738 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
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    100+0.15 EUR
    1000+0.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    R16 5 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
    Produktcode: 28628
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    		ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
    R16 5 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
    Hersteller: CTR
    Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
    Nennwert: 5 kOhm
    Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
    Typ: verdrehbar
    Abmessungen: D=17 мм
    Потужність: 0,06 W
    Шток: 15 mm
    Характеристика: Лінійний
    verfügbar: 473 St.
    • 91 St. - stock Köln
    • 382 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 500 St.
    • 500 St. - erwartet 06.10.2026
    AnzahlPreis
    1+0.68 EUR
    100+0.41 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2SD882P (Bipolartransistor NPN)
    Produktcode: 31893
    4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		2sd882.pdf
    2SD882P (Bipolartransistor NPN)
    Hersteller: UTC
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-126
    fT: 80 MHz
    Uceo,V: 30
    Ucbo,V: 40
    Ic,A: 3
    h21: 400
    ZCODE: THT
    verfügbar: 246 St.
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    • 186 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    100+0.13 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SCS-16 (KLS1-216-16) (Platte für Mikroschaltung)
    Produktcode: 98396
    5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		kls1-216-datasheet.pdf
    SCS-16 (KLS1-216-16) (Platte für Mikroschaltung)
    Hersteller: KLS
    Steckverbinder, Reihenklemmen > Plattenverbinder
    Beschreibung: Platte 16 Kontakte, Schritt 2,54, Breite: 7,62mm
    К-сть контактів: 16
    Тип панелі: Стандартні DIP
    verfügbar: 1887 St.
    • 556 St. - stock Köln
    • 1331 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPreis
    1+0.068 EUR
    10+0.044 EUR
    100+0.036 EUR
    1000+0.026 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
    Produktcode: 11339
    15 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
    Hersteller: CviLux/Ninigi
    Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
    Beschreibung: Buchse 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, 250VAC, Gold Flash
    Stecker/Buchse: Buchse (Steckdose)
    Schritt: 2,54mm
    Anzahl Reihen: 1 - Reihe
    Anzahl Kontakte: 40
    № 7: 8536 69 90 90
    verfügbar: 41 St.
      AnzahlPreis
      1+0.25 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH