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IRL3705NPBF

IRL3705NPBF

irl3705n-datasheet.pdf
Produktcode: 24017
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 247 St.
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Technische Details IRL3705NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:77A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:130W
  • Power Dissipation Pd:130W
  • Pulse Current Idm:310A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.32 EUR
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 65.3nC
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.39 EUR
39+2.19 EUR
44+1.94 EUR
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100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
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75+2.28 EUR
105+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3783 Stücke:
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46+3.9 EUR
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500+1.25 EUR
1000+1.09 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon-IRL3705N-DS-v01_02-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
auf Bestellung 2769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.67 EUR
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
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32+7.9 EUR
50+4.71 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 65.3nC
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 1420 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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75+2.28 EUR
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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NE555P
Produktcode: 26138
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description na555.pdf?ts=1779184670697&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FNA555
NE555P
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 188 St.
  • 188 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2559 St.
  • 2559 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000+0.23 EUR
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R16 5 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Produktcode: 28628
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 5 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 91 St.
  • 91 St. - stock Köln
erwartet: 550 St.
  • 500 St. - erwartet 06.10.2026
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 273 St.
  • 273 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.81 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD882P (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 167 St.
  • 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1435 St.
  • 1435 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SCS-16 (KLS1-216-16) (IC-Fassung)
Produktcode: 98396
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kls1-216-datasheet.pdf
SCS-16 (KLS1-216-16) (IC-Fassung)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Plattenverbinder
Kurze Funktionsbeschreibung: Fassung 16 Kontakte, Raster 2,54, Breite: 7,62mm
Anzahl der Kontakte: 16
Sockeltyp: DIP Standard
verfügbar: 556 St.
  • 556 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1250 St.
  • 1250 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.081 EUR
10+0.063 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
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