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2SD882P (Bipolartransistor NPN)

2SD882P (Bipolartransistor NPN) UTC

2sd882.pdf
Produktcode: 31893
Hersteller: UTC
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar 400 Stück:
60 Stück - stock Köln
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Anzahl Preis
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SD882-P Hersteller : ZX 09+
auf Bestellung 11003 Stücke:
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2SB772
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.15 EUR
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1N4007
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 52888 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB772P
Produktcode: 14783
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2SB772P
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
verfügbar: 470 Stück
24 Stück - stock Köln
446 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
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TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25815
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TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 6
h21: 75
ZCODE: THT
auf Bestellung 447 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5851 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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