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2SB772

2SB772 NEC

2SB772.pdf
Produktcode: 24240
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Hersteller: NEC
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
auf Bestellung 339 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SB772P 2SB772P
Produktcode: 14783
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Hersteller : NEC 2SB772.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
verfügbar: 314 St.
24 St. - stock Köln
290 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SB772 LGE 2SB772 LGE
Produktcode: 188571
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Hersteller : LGE Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
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2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 200
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2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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2SB772 Hersteller : NEC 2SB772.pdf PNP, TO-126, h=160-320, 3A, Uceo=30V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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2SB772 Hersteller : STM 2SB772.pdf TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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2SB772 Hersteller : STMicroelectronics 2SB772_STM.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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2SB772 2SB772 Hersteller : STMicroelectronics 2SB772.pdf Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
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2SB772 Hersteller : Diodes Incorporated 2SB772.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2SB772 2SB772 Hersteller : STMicroelectronics 2SB772.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
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2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: UTC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar: 298 St.
60 St. - stock Köln
238 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
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2N4403
Produktcode: 15186
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2n4403.pdf
2N4403
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar: 741 St.
60 St. - stock Köln
681 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ULN2003AN
Produktcode: 22098
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuln2003a ULN200xA.pdf
ULN2003AN
Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Verbindung-Transistor с Verbundsammler (Darlington-Transistor)
Монтаж: THT
№ 4: -20...70°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
verfügbar: 597 St.
49 St. - stock Köln
548 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1652 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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47uF 16V ECR 5x11mm (ECR470M16B-Hitano)
Produktcode: 1493
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description ECR_081225.pdf
47uF 16V ECR 5x11mm (ECR470M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2343 St.
1675 St. - stock Köln
668 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.018 EUR
100+0.013 EUR
1000+0.011 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH