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Technische Details 2SB772 LGE
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-32-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 12.5 W.
Möglichen Substitutionen 2SB772 LGE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2SB772P Produktcode: 14783
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NEC |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren PNPGehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz Spannung Uce, V: 30 V Spannung Ucb, V: 40 V Strom Ic, A: 3 A Stromverstärkung h21, max: 400 |
verfügbar: 24 St.
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| 2SB772P Produktcode: 14783
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Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Strom Ic, A: 3 A
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2SB772 | LGE |
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 T2SB772 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SB772 | LGE |
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 T2SB772 |
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| 2SB772 |
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Hersteller: LGE
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 T2SB772
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Hersteller: LGE
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 T2SB772
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 T2SB772
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