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2SB772 LGE

2SB772 LGE

Produktcode: 188571
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Hersteller: LGE
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 3 A
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AnzahlPrivatkunde
5+0.25 EUR
10+0.23 EUR
100+0.2 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB772P 2SB772P
Produktcode: 14783
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NEC 2SB772.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
verfügbar: 24 St.
  • 24 St. - stock Köln
auf Bestellung: 186 St.
  • 186 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
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2SB772P
Produktcode: 14783
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2SB772P
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
verfügbar: 24 St.
  • 24 St. - stock Köln
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2SB772 2SB772
Produktcode: 24240
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NEC 2SB772.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
auf Bestellung: 282 St.
  • 282 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.26 EUR
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2SB772 NEC 2SB772.pdf PNP, TO-126, h=160-320, 3A, Uceo=30V Транзистори
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2SB772 STM 2SB772.pdf TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
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2SB772 STMicroelectronics 2SB772_STM.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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2SB772 2SB772 STMicroelectronics 2SB772.pdf Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
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2SB772 2SB772 STMicroelectronics 2SB772.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
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2SB772
Produktcode: 24240
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2SB772
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
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Hersteller: NEC
PNP, TO-126, h=160-320, 3A, Uceo=30V Транзистори
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Hersteller: STM
TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
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Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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2SB772
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
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2SB772
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
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