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2SB772

2SB772 NEC

2SB772.pdf
Produktcode: 24240
Hersteller: NEC
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
auf Bestellung 244 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SB772P 2SB772P
Produktcode: 14783
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Hersteller : NEC 2SB772.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
verfügbar: 471 Stück
24 Stück - stock Köln
447 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 200
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2SB772 Hersteller : LGE 2SB772.pdf PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 200
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2SB772 LGE 2SB772 LGE
Produktcode: 188571
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Hersteller : LGE Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
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2SB772 2SB772 Hersteller : STMicroelectronics cd00062866.pdf Trans GP BJT PNP 30V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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2SB772 2SB772 Hersteller : STMicroelectronics 2SB772.pdf Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
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2SB772 Hersteller : Diodes Incorporated 2SB772.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2SB772 2SB772 Hersteller : STMicroelectronics CD00062866-491129.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
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2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: UTC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar: 400 Stück
60 Stück - stock Köln
340 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
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ULN2003AN
Produktcode: 22098
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ULN200xA.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuln2003a
ULN2003AN
Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Verbindung-Transistor с Verbundsammler (Darlington-Transistor)
Монтаж: THT
№ 4: -20...70°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
verfügbar: 172 Stück
49 Stück - stock Köln
123 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
10+0.20 EUR
100+0.16 EUR
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SS8050D (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30015
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SS8050D.pdf
SS8050D (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 150 MHz
Uceo,V: 25
Ucbo,V: 40
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 2704 Stück
95 Stück - stock Köln
2609 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.10 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.04 EUR
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SR5100
Produktcode: 46057
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sr5100.pdf
SR5100
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 100
If(A): 5
VF@IF: 0,85
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
verfügbar: 1037 Stück
145 Stück - stock Köln
892 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet 18.05.2025
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.24 EUR
100+0.20 EUR
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