IRL3705ZSPBF
Produktcode: 26657
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/40
Montage: SMD
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Technische Details IRL3705ZSPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 86A, D2-PAK
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.008ohm
- Power Dissipation:130W
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:86A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.14`C/W
- Max Voltage Vgs th:3V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.008ohm
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:340A
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vds:55V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRL3705ZSPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IRL3705ZSPBF | Infineon / IR |
 MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL3705ZSPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)