IRL3713PBF

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Produktcode: 35005

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

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Technische Details IRL3713PBF IR

Möglichen Substitutionen IRL3713PBF IR

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	IRL3713PBF Produktcode: 198923	Hersteller : VBsemi	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT	auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	kaufen

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	IRL3713PBF Produktcode: 198923	Hersteller : VBsemi	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT	auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	kaufen
	IRL3713PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRL3713PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRL3713PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRL3713PBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRLB3034PBF Produktcode: 36195

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

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10 kOhm 1% 0,5W (MFR050SSFTB-10K-Hitano) Produktcode: 50289

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur

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Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g Produktcode: 62038

Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Mittel zum Weichlöten
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 0,7mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий

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BZV55-C5V1 Produktcode: 4297

Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
№ 6: 8541100090

verfügbar: 2223 Stück

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ST13009 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 3722

Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 12
h21: 39
ZCODE: THT

verfügbar: 255 Stück

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