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IRL3713PBF

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Produktcode: 35005
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3713PBF IR

  • MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:200A
  • On State Resistance:0.003ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923
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Hersteller : VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3713pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3713_DataSheet_v01_01_EN-3363570.pdf MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
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Кнопка GT1-9887
Produktcode: 119943
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Кнопка GT1-9887
Hersteller: Global Tone
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Без фіксації
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 17,5x18 mm
Stammhöhe, mm: 2,6 mm
Beschreibung: Кнопка кругла, 2 контакти
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
auf Bestellung 1990 St.:
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IRLB4132
Produktcode: 86447
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IRLB4132
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 182 St.:
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BV-EF25-1-10R (PHL)
Produktcode: 85640
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BV-EF25-1-10R (PHL)
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Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Karkassen
Serie: EE
Typ: kammförmig
Größe, Typ: EE25/13/7(EF25)
Beschreibung: Karkasse EE25/13/7(EF25) Vertikal. 1 Sektion 10 Ausführ. [PHEN]
Material: Phenolic
auf Bestellung 17 St.:
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Anzahl Preis
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TP4A-EE25/13/7-G025
Produktcode: 47133
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TP4A-EE25/13/7-G025
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: EE/EF
Typ: kammförmig
Größe, Typ: E25/13/7
Beschreibung: Kern EE25/13/7(EF25) Ui=2400 AL~250nH (g=0,25mm)
Material: P4
Durchlässigkeit, µi: Ui=2200
auf Bestellung 46 St.:
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10+0.25 EUR
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PIC16F716-I/SO
Produktcode: 34134
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41206B.pdf
PIC16F716-I/SO
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SOIC-18
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 2KB,20MHz
Strom, V: 2.0...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
auf Bestellung 17 St.:
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