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IRL3713PBF

IRL3713PBF VBsemi

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Produktcode: 198923
Hersteller: VBsemi
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3713PBF VBsemi

  • MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:200A
  • On State Resistance:0.003ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 35005
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Hersteller : IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3713-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3713_DataSheet_v01_01_EN-3363570.pdf MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
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IRL3713PBF IRL3713PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3713.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Hersteller: EEMB
Batterien
Material: літієва (Li-MnO2)
Größe: CR2032
Spannung: 3 V
Bemerkung: Ємність: 210 мАгод
Таблетка
Ємність, mAh: 210 мАгод
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 Stück:
4000 Stück - erwartet 10.06.2025
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