IRL3713PBF VBsemi
Produktcode: 198923
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Lieblingsprodukt
Hersteller: VBsemi
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3713PBF VBsemi
- MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:200A
- On State Resistance:0.003ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2.5V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
- Max Voltage Vds:30V
- Max Voltage Vgs th:2.5V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
- Power Dissipation:200W
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:1040A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Möglichen Substitutionen IRL3713PBF VBsemi
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL3713PBF Produktcode: 35005
2
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 30 Idd,A: 260 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
verfügbar: 61 St.
6 St. - stock Köln
55 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRL3713PBF nach Preis ab 1.46 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRL3713PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3713PBF | Hersteller : International Rectifier |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3713PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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|
IRL3713PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
15
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1617 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| LM358P Produktcode: 24924
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
Монтаж: THT
verfügbar: 1018 St.
18 St. - stock Köln
1000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.16 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| TL074CN Produktcode: 22415
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Geschw. Nar., V/mks: 13
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Geschw. Nar., V/mks: 13
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: THT
verfügbar: 42 St.
5 St. - stock Köln
37 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
37 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.25 EUR |
| IRF4905PBF Produktcode: 22366
14
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.16 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| BC327-25 Produktcode: 15290
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|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1452 St.
215 St. - stock Köln
1237 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1237 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.028 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |






