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IRL3713PBF

IRL3713PBF VBsemi

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Produktcode: 198923
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Hersteller: VBsemi
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRL3713PBF VBsemi

  • MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:200A
  • On State Resistance:0.003ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.003ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Möglichen Substitutionen IRL3713PBF VBsemi

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 35005
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IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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JHGF: THT
verfügbar: 61 St.
6 St. - stock Köln
55 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRL3713PBF
Produktcode: 35005
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description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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IRL3713PBF IRL3713PBF Infineon Technologies irl3713pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.79 EUR
10000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRL3713PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1469 St.:
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LM358P
Produktcode: 24924
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 834 St.:
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erwartet 20 St.:
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
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TL074CN
Produktcode: 22415
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TL074_A_B.pdf tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL074CN
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Geschw. Nar., V/mks: 13
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: THT
verfügbar: 20 St.
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15 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 14 St.:
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erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 20.06.2026
Anzahl Preis
1+1.16 EUR
10+1.13 EUR
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1429 St.
212 St. - stock Köln
1217 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.02 EUR
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