IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 1.13 EUR |
| 1600+ | 1.04 EUR |
| 2400+ | 1.00 EUR |
| 4000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRL40S212ARMA1 nach Preis ab 1.54 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRL40S212ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V |
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IRL40S212ARMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRL40S212ARMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL40S212ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
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IRL40S212ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL40S212ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRL40S212ARMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 254A; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 254A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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