IRL40SC228 Infineon Technologies
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Technische Details IRL40SC228 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRL40SC228 nach Preis ab 2.43 EUR bis 7.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRL40SC228 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 557A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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IRL40SC228 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRL40SC228 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL40SC228 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL40SC228 | Hersteller : Infineon |
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IRL40SC228 Produktcode: 204213
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