IRL530NSTRLPBF
Produktcode: 207028
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 35200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 35200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 30400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 30815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRL530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 35200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 0.88 EUR |
| 1600+ | 0.86 EUR |
| 2400+ | 0.78 EUR |
| 4000+ | 0.75 EUR |
| 5600+ | 0.73 EUR |
| 8000+ | 0.71 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 35200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 0.88 EUR |
| 1600+ | 0.84 EUR |
| 2400+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.71 EUR |
| 5600+ | 0.67 EUR |
| 8000+ | 0.64 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 30400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.03 EUR |
| 1600+ | 0.95 EUR |
| 2400+ | 0.91 EUR |
| 4000+ | 0.86 EUR |
| 5600+ | 0.84 EUR |
| 8000+ | 0.81 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 129+ | 1.14 EUR |
| 130+ | 1.11 EUR |
| 156+ | 0.91 EUR |
| 250+ | 0.7 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 109+ | 1.34 EUR |
| 129+ | 1.1 EUR |
| 130+ | 1.05 EUR |
| 156+ | 0.84 EUR |
| 250+ | 0.64 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 2.04 EUR |
| 47+ | 1.55 EUR |
| 66+ | 1.1 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 125+ | 0.91 EUR |
| 250+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 800+ | 0.68 EUR |
| 1600+ | 0.63 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 61+ | 2.4 EUR |
| 100+ | 1.6 EUR |
| 800+ | 1.17 EUR |
| 1600+ | 1.05 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 30815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRL530NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)