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IRL530NSTRLPBF

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Produktcode: 207028
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.13 EUR
1600+1.04 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
5600+0.9 EUR
8000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.24 EUR
1600+1.09 EUR
2400+1.01 EUR
4000+0.93 EUR
5600+0.86 EUR
8000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
109+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
47+1.84 EUR
66+1.31 EUR
100+1.13 EUR
125+1.08 EUR
250+0.95 EUR
500+0.86 EUR
800+0.81 EUR
1600+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.46 EUR
106+1.64 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.46 EUR
106+1.61 EUR
800+1.15 EUR
1600+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
109+1.98 EUR
133+1.62 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 12838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
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47+3.76 EUR
74+2.31 EUR
109+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRL530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.26 EUR
800+1.14 EUR
2400+1.09 EUR
4800+1.04 EUR
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IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
91+2.57 EUR
99+2.19 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.13 EUR
1600+1.04 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
5600+0.9 EUR
8000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.24 EUR
1600+1.09 EUR
2400+1.01 EUR
4000+0.93 EUR
5600+0.86 EUR
8000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.39 EUR
109+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.43 EUR
47+1.84 EUR
66+1.31 EUR
100+1.13 EUR
125+1.08 EUR
250+0.95 EUR
500+0.86 EUR
800+0.81 EUR
1600+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.46 EUR
106+1.64 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.46 EUR
106+1.61 EUR
800+1.15 EUR
1600+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
109+1.98 EUR
133+1.62 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 12838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.76 EUR
74+2.31 EUR
109+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF Infineon-IRL530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.81 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.26 EUR
800+1.14 EUR
2400+1.09 EUR
4800+1.04 EUR
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IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 594 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
91+2.57 EUR
99+2.19 EUR
132+1.63 EUR
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