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IRL540NSTRLPBF

IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.22 EUR
2400+1.07 EUR
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Technische Details IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.11 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 110400 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.11 EUR
4000+1.08 EUR
5600+1.05 EUR
8000+0.99 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 110400 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.21 EUR
2400+1.07 EUR
4000+1.02 EUR
5600+0.96 EUR
8000+0.89 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.67 EUR
1600+1.55 EUR
2400+1.48 EUR
4000+1.41 EUR
5600+1.37 EUR
8000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.73 EUR
48+1.5 EUR
57+1.26 EUR
100+1.17 EUR
250+1.07 EUR
500+1 EUR
800+0.96 EUR
1600+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.25 EUR
65+2.24 EUR
100+1.59 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.17 EUR
2400+1.03 EUR
4000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.68 EUR
800+1.56 EUR
2400+1.51 EUR
4800+1.46 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 110400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.11 EUR
4000+1.08 EUR
5600+1.05 EUR
8000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 110400 Stücke:
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AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.21 EUR
2400+1.07 EUR
4000+1.02 EUR
5600+0.96 EUR
8000+0.89 EUR
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.67 EUR
1600+1.55 EUR
2400+1.48 EUR
4000+1.41 EUR
5600+1.37 EUR
8000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
78+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
27+2.73 EUR
48+1.5 EUR
57+1.26 EUR
100+1.17 EUR
250+1.07 EUR
500+1 EUR
800+0.96 EUR
1600+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
45+3.25 EUR
65+2.24 EUR
100+1.59 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.17 EUR
2400+1.03 EUR
4000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.68 EUR
800+1.56 EUR
2400+1.51 EUR
4800+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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