IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Weitere Produktangebote IRL540NSTRLPBF nach Preis ab 0.87 EUR bis 4.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 41600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Kind of package: reel Mounting: SMD Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Kind of package: reel Mounting: SMD Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Type of transistor: N-MOSFET |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 42865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 84-98 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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