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IRL540NSTRLPBF

IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+1.21 EUR
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Technische Details IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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1600+1.18 EUR
2400+1.09 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 130400 Stücke:
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800+1.34 EUR
1600+1.23 EUR
2400+1.15 EUR
4000+1.07 EUR
5600+1.02 EUR
8000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.36 EUR
1600+1.21 EUR
2400+1.12 EUR
4000+1.02 EUR
5600+0.95 EUR
8000+0.88 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.42 EUR
1600+1.3 EUR
2400+1.25 EUR
4000+1.19 EUR
5600+1.15 EUR
8000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.25 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
100+1.39 EUR
250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
800+1.14 EUR
1600+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.55 EUR
72+2.42 EUR
109+1.55 EUR
800+1.26 EUR
1600+1.15 EUR
2400+1.09 EUR
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
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50+3.55 EUR
72+2.36 EUR
109+1.49 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.07 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
auf Bestellung 2090 Stücke:
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1+4.69 EUR
10+2.89 EUR
100+2.2 EUR
500+1.59 EUR
2400+1.25 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
68+3.44 EUR
73+2.94 EUR
100+2.2 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRL540NSTRLPBF International Rectifier/Infineon irl540nspbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 1550 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 576 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+1.33 EUR
1600+1.18 EUR
2400+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
800+1.34 EUR
1600+1.23 EUR
2400+1.15 EUR
4000+1.07 EUR
5600+1.02 EUR
8000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 130400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.36 EUR
1600+1.21 EUR
2400+1.12 EUR
4000+1.02 EUR
5600+0.95 EUR
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.42 EUR
1600+1.3 EUR
2400+1.25 EUR
4000+1.19 EUR
5600+1.15 EUR
8000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.2 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+3.25 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
100+1.39 EUR
250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
800+1.14 EUR
1600+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.55 EUR
72+2.42 EUR
109+1.55 EUR
800+1.26 EUR
1600+1.15 EUR
2400+1.09 EUR
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.55 EUR
72+2.36 EUR
109+1.49 EUR
800+1.2 EUR
1600+1.07 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 19646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL540NSTRLPBF Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRL540NSTRLPBF
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MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.69 EUR
10+2.89 EUR
100+2.2 EUR
500+1.59 EUR
2400+1.25 EUR
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IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
68+3.44 EUR
73+2.94 EUR
100+2.2 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 1550 Од. вим
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verfügbar 576 Stücke:
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