IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 0.93 EUR |
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Technische Details IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRL540NSTRLPBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 87200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 2058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl |
auf Bestellung 908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL540NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: 1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 576 Stücke: |
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IRL540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRL540NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |