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IRL640A

IRL640A ON Semiconductor

3647949746691331irl640a.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IRL640A ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V.

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IRL640A IRL640A Hersteller : onsemi irl640a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
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IRL640A IRL640A Hersteller : onsemi / Fairchild IRL640A_D-1810366.pdf MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
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IRL640A IRL640A Hersteller : ON Semiconductor 3647949746691331irl640a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IRL640A IRL640A Hersteller : ON Semiconductor 3647949746691331irl640a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IRL640A IRL640A Hersteller : ON Semiconductor 3647949746691331irl640a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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