Technische Details IRL640A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRL640A | Fairchild/ON Semiconductor |
 N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1705 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 9 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| IRL640A | ONS/FAI |
Транзистори |
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IRL640A | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V |
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 |
IRL640A | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level |
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| IRL640A |
|
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1705 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 9 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1705 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 9 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
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| IRL640A |
|
Hersteller: ONS/FAI
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| IRL640A |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
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| IRL640A |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level
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