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IRL7472L1TRPbF
IRL7472L1TRPbF
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IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET-L8
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Technische Details IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
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IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon_IRL7472L1_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
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Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
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Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
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10+7.79 EUR
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