IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET-L8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 5.9 EUR |
| 17+ | 5.02 EUR |
| 19+ | 4.55 EUR |
| 21+ | 4.08 EUR |
| 50+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
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Technische Details IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRL7472L1TRPbF nach Preis ab 3.69 EUR bis 10.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRL7472L1TRPbF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7472L1TRPbF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) |
auf Bestellung 8376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7472L1TRPbF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl |
auf Bestellung 2897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7472L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRL7472L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL7472L1TRPbF | Infineon |
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auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL7472L1TRPbF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 3.69 EUR |
| IRL7472L1TRPbF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
auf Bestellung 8376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.76 EUR |
| 10+ | 4.95 EUR |
| 100+ | 4.68 EUR |
| 500+ | 4.52 EUR |
| IRL7472L1TRPbF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.5 EUR |
| 10+ | 7.02 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 500+ | 4.55 EUR |
| 1000+ | 4.4 EUR |
| 4000+ | 4.24 EUR |
| IRL7472L1TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRL7472L1TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRL7472L1TRPbF |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)