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IRL7472L1TRPbF
IRL7472L1TRPbF
IRL7472L1TRPbF
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IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
Case: DirectFET-L8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 637 Stücke:
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12+7.27 EUR
13+6.68 EUR
16+5.43 EUR
20+4.31 EUR
25+3.42 EUR
50+3.03 EUR
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Technische Details IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.4 EUR
50+4.26 EUR
100+3.95 EUR
200+3.49 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.41 EUR
41+4.28 EUR
42+4.13 EUR
100+3.97 EUR
250+3.86 EUR
500+3.74 EUR
1000+3.58 EUR
3000+3.52 EUR
6000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 6225 Stücke:
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40+4.41 EUR
41+4.19 EUR
42+3.97 EUR
100+3.76 EUR
250+3.56 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.15 EUR
3000+3.11 EUR
6000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 13771 Stücke:
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147+4.51 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.9 EUR
10000+3.58 EUR
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies 119666814576816irl7472l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 404000 Stücke:
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4000+5.24 EUR
200000+4.75 EUR
300000+4.34 EUR
400000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
auf Bestellung 8376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+4.95 EUR
100+4.68 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.33 EUR
250+5.51 EUR
1000+5.03 EUR
2000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL7472L1TRPbF IRL7472L1TRPbF Infineon Technologies Infineon_IRL7472L1_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+7.02 EUR
100+5.02 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.4 EUR
4000+4.24 EUR
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IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.2 EUR
50+7.75 EUR
250+5.38 EUR
1000+4.71 EUR
2000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRL7472L1TRPBF International Rectifier HiRel Products Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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IRL7472L1TRPbF Infineon Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
IRL7472L1TRPbF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.4 EUR
50+4.26 EUR
100+3.95 EUR
200+3.49 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.41 EUR
41+4.28 EUR
42+4.13 EUR
100+3.97 EUR
250+3.86 EUR
500+3.74 EUR
1000+3.58 EUR
3000+3.52 EUR
6000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRL7472L1TRPBF 119666814576816irl7472l1pbf.pdf
IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.41 EUR
41+4.19 EUR
42+3.97 EUR
100+3.76 EUR
250+3.56 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.15 EUR
3000+3.11 EUR
6000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 13771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+4.51 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.9 EUR
10000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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IRL7472L1TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 404000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+5.24 EUR
200000+4.75 EUR
300000+4.34 EUR
400000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
IRL7472L1TRPbF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
auf Bestellung 8376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.76 EUR
10+4.95 EUR
100+4.68 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.33 EUR
250+5.51 EUR
1000+5.03 EUR
2000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF Infineon_IRL7472L1_DS_v02_00_EN.pdf
IRL7472L1TRPbF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.5 EUR
10+7.02 EUR
100+5.02 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.4 EUR
4000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.2 EUR
50+7.75 EUR
250+5.38 EUR
1000+4.71 EUR
2000+4.63 EUR
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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147+4.51 EUR
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Hersteller: Infineon
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