Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRL7486MTRPbF

IRL7486MTRPbF

IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 166090
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRL7486MTRPbF nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF International Rectifier IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
auf Bestellung 39875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
264+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRL7486M_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF INFINEON INFN-S-A0013562805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
auf Bestellung 17922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF INFINEON INFN-S-A0013562805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
auf Bestellung 17922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF Infineon IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL7486MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
auf Bestellung 39875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF Infineon_IRL7486M_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IRL7486MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.49 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF INFN-S-A0013562805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL7486MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
auf Bestellung 17922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF INFN-S-A0013562805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL7486MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
auf Bestellung 17922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH