Weitere Produktangebote IRL7486MTRPbF nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRL7486MTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
 Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
auf Bestellung 39875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7486MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET |
auf Bestellung 3571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7486MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7486MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL7486MTRPBF | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 500000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRL7486MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET Case: DirectFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 209A Kind of package: reel; tape |
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