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IRLB3034PBF

IRLB3034PBF

irlb3034pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 36195
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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176+3.05 EUR
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLB3034PBF Hersteller : International Rectifier irlb3034pbf.pdf MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF Hersteller : Infineon Technologies irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLB3034_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 97841 St.:
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erwartet 200000 St.:
200000 St. - erwartet 05.06.2026
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AMS1117-3.3
Produktcode: 87031
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5272_AMS1117-3.3.pdf AMS1117.pdf
AMS1117-3.3
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 1 А
Udrop, V: 1,1 V
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 9990 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Taste KLS7-TS6611-1.5-180
Produktcode: 98391
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kls7-ts6611.pdf
Taste KLS7-TS6611-1.5-180
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 6x6mm
Stammhöhe, mm: 1,5mm(mit Taste)
Beschreibung: Taste Takt
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
verfügbar: 4199 St.
998 St. - stock Köln
3201 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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MBRA340T3G
Produktcode: 198913
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MBRA340T3-D.pdf
MBRA340T3G
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40 V
If(A): 3 A
VF@IF: 0,45 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
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1000uF 35V ECR 13x21mm (ECR102M35B-Hitano)
Produktcode: 2946
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ECR_081225.pdf
1000uF 35V ECR 13x21mm (ECR102M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 28 St.
erwartet: 1200 St.
1200 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.17 EUR
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