IRLB3036PBF
Produktcode: 58855
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11210/91
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRLB3036PBF nach Preis ab 1.56 EUR bis 7.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLB3036PBF | Hersteller : International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRLB3036PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 195 А, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 11210 @ 50, Qg, нКл = 140 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм @ 165 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO- Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLB3036PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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