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IRLB3036PBF

irlb3036pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 58855
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,9 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11210/91
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.98 EUR
67+2.61 EUR
100+2.31 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.11 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.99 EUR
67+2.56 EUR
100+2.24 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1158 Stücke:
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1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.58 EUR
20+4.43 EUR
32+2.7 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.72 EUR
40+4.44 EUR
100+3.34 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.72 EUR
40+4.34 EUR
100+3.21 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.75 EUR
100+4.07 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
60+2.98 EUR
67+2.61 EUR
100+2.31 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.11 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+2.99 EUR
67+2.56 EUR
100+2.24 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 40 Stücke:
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19+4.58 EUR
20+4.43 EUR
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.72 EUR
40+4.44 EUR
100+3.34 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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100+3.21 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.63 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
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IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 10 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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