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IRLB3036PBF

irlb3036pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 58855
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,9 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11210/91
Montage: THT
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1+3.95 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.88 EUR
66+2.57 EUR
70+2.39 EUR
100+2.21 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
66+2.55 EUR
69+2.33 EUR
100+2.13 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.08 EUR
29+2.96 EUR
47+1.82 EUR
49+1.77 EUR
51+1.69 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.1 EUR
35+4.89 EUR
50+4.08 EUR
100+3.44 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.16 EUR
35+4.82 EUR
50+3.96 EUR
100+3.28 EUR
500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.38 EUR
100+3.25 EUR
1000+2.49 EUR
2000+2.32 EUR
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
10+5.95 EUR
50+4.63 EUR
100+4.21 EUR
500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.11 EUR
32+7.33 EUR
100+5.06 EUR
500+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+2.88 EUR
66+2.57 EUR
70+2.39 EUR
100+2.21 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+2.9 EUR
66+2.55 EUR
69+2.33 EUR
100+2.13 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.03 EUR
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.08 EUR
29+2.96 EUR
47+1.82 EUR
49+1.77 EUR
51+1.69 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.1 EUR
35+4.89 EUR
50+4.08 EUR
100+3.44 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.16 EUR
35+4.82 EUR
50+3.96 EUR
100+3.28 EUR
500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRLB3036PBF
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MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 538 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.38 EUR
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1000+2.49 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
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IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 993 Stücke:
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21+12.11 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
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