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IRLB4030PBF

IRLB4030PBF

irlb4030pbf_datasheet.pdf
Produktcode: 83396
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 180
Rds(on), Ohm: 03.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 11360/87
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 462 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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37+3.98 EUR
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100+3.57 EUR
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500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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55+2.64 EUR
100+2.37 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.9 EUR
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+2.41 EUR
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
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10+6.07 EUR
100+4.31 EUR
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1000+3.33 EUR
2000+3.13 EUR
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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54+2.63 EUR
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
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IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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QC1602A 16x2 Character LCD Display BLAU Hintergrundbeleuchtung (auf Controller HD44780)
Produktcode: 58369
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description ds_lcd_1602b.JPG
QC1602A 16x2 Character LCD Display BLAU Hintergrundbeleuchtung (auf Controller HD44780)
Hersteller: Winstar
Optoelektronik > Indikatoren
Sichtbereich (Punkte / mm): Zeichentyp 16x2
Abmessungen / Punktgröße: 80x36x14,5mm
Sichtwinkel / Hintergrundbeleuchtung: /BLAU
Controller: HD44780
Bemerkung: Кирилицю не підтримує
Символьний
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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200 St. - erwartet
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SILI150X220 thermisch leitende Silikon Dichtung, L: 220 mm, W: 150 mm
Produktcode: 42355
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SILI150X220 thermisch leitende Silikon Dichtung, L: 220 mm, W: 150 mm
Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Silikon-Kautschuk Dichtung, L: 220mm, W: 150mm, Festigkeit Durchbruch, min.: 5 кV/mm, Wärmeleitfähigkeit: 1 W/mK Arbeitstemperatur -60...200°C , Entzündbarkeit UL94V-0
Größe: 220x150x0,23mm
Матеріал: Силікон
сірий
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 30.06.2026
AnzahlPreis
1+10.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOS220 keramische Dichtung TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Produktcode: 42354
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aos247.pdf
AOS220 keramische Dichtung TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Hersteller: Fisher
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 12х18х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-220
Матеріал: Кераміка
білий
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.43 EUR
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STW12NK90Z
Produktcode: 31985
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description en.CD00003404.pdf
STW12NK90Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 900
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.88
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
JHGF: THT
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AnzahlPreis
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TL494CD
Produktcode: 4314
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: Pulse-Width-Modulation Control Circuit
Spannung, eing., V: 7...40 V
I-ausg., A: 0,2A
Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 14 St.
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    10+0.42 EUR
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