IRLB4030PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLB4030PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLB4030PBF nach Preis ab 1.34 EUR bis 5.76 EUR
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF Produktcode: 83396
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 180 Rds(on), Ohm: 03.04.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 11360/87 JHGF: THT |
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IRLB4030PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB4030PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLB4030PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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