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IRLB4030PBF

IRLB4030PBF

irlb4030pbf_datasheet.pdf
Produktcode: 83396
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 180 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11360/87
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±16V
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+4.44 EUR
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250+3.97 EUR
500+3.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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55+3.03 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±16V
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
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IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
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IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1602A 16x2 Character LCD Display blaue Hintergrundbeleuchtung (Controller HD44780)
Produktcode: 58369
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description ds_lcd_1602b.JPG
1602A 16x2 Character LCD Display blaue Hintergrundbeleuchtung (Controller HD44780)
Hersteller: Winstar
Optoelektronik > Indikatoren
Zeichenzahl / Matrixauflösung (Punkte): 16x2
Abmessungen / Punktgröße: 80x36x14.5 mm
Sichtwinkel / Hintergrundbeleuchtung: / blau
Controller: HD44780
Bemerkung: keine kyrillische Schrift
Anzeigeart: Zeichen
auf Bestellung: 2 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SILI150X220 Teploprovidna Silikon-Pad, L: 220 mm, W: 150 mm
Produktcode: 42355
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SILI150X220 Teploprovidna Silikon-Pad, L: 220 mm, W: 150 mm
Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Silikonkautschuk Pad, L: 220mm, W: 150mm, Durchschlagfestigkeit, khv.: 5 kV/mm, Wärmeleitfähigkeit: 1 W/mK, Betriebstemperatur: -60... 200 ° C, Brennbarkeitsklasse UL94V-0
Größe: 220x150x0.23mm
Material: Silikon
Farbe: Grau
auf Bestellung: 77 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOS220 Keramik-Pad TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Produktcode: 42354
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aos247.pdf
AOS220 Keramik-Pad TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Hersteller: Fisher
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Wärmeleitpad Keramik für TO-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25W/mK, 10kV/mm
Größe: 12x18x1,5mm + Bohrung3,1mm, für Gehäuse TO-220
Material: Keramik
Farbe: Weiß
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 243 St.
  • 243 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK90Z
Produktcode: 31985
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description en.CD00003404.pdf
STW12NK90Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3500/113
Montage: THT
auf Bestellung: 24 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL494CD
Produktcode: 4314
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Funktion und Eigenschaften: Pulsweitenmodulations-Steuerschaltung
Eingangsspannung, V: 7...40 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,2 A
Frequenz Fosc, kHz: 300 кГц
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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100+0.37 EUR
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