STW12NK90Z

STW12NK90Z

Produktcode: 31985
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 900
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.88
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113

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Technische Details STW12NK90Z

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:11A
  • On State Resistance:0.88ohm
  • Case Style:TO-247
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:900V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:113nC
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.88ohm
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Pulse Current Idm:44A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:4.5V/es
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vgs Rds N Channel:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

Preis STW12NK90Z ab 2.14 EUR bis 13.73 EUR

STW12NK90Z
Hersteller: ST

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STW12NK90Z
STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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STW12NK90Z
STW12NK90Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Power MOSFET, N Channel, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.72
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 230
Continuous Drain Current Id: 11
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 3.75
Drain Source Voltage Vds: 900
Transistor Case Style: TO-247
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Material: STW12NK90Z THT N channel transistors
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STW12NK90Z
Hersteller: ST
N-Ch 900V 11A 880mOhm TO247-3
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STW12NK90Z
Hersteller: ST
N-MOSFET 900V 11A 880m? 230W Trans. STW12NK90Z TO247 TSTW12NK90Z
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z
STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
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UC3845BD1R2G
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215 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Urew: 1000V
I dir: 8A
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Auwechselbar:: GBU8005, GBU801, GBU802, GBU804, GBU806, GBU808, GBU8A, GBU8B, GBU8D, GBU8G, GBU8J, GBU8K, GBU8M, GBU6A, GBU6B, GBU6D, GBU6G, GBU6J, GBU6K, GBU4A, GBU4B, GBU4D, GBU4G, GBU4J, GBU4K, GBU4M, GBU6005, GBU601, GBU602, GBU604, GBU606, GBU4005, GBU401, GBU402,
№ 7: 8541 10 00 10
60 Stück - stock Köln
1077 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000+ 0.33 EUR
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Produktcode: 32500
680pF 2kV Y5P K(+/-10%) D<=7,5mm (KB3D681K-L516BD7.5-Hitano)
Produktcode: 6508
HI_Voltage_070726.pdf
680pF 2kV Y5P K(+/-10%) D<=7,5mm (KB3D681K-L516BD7.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 680pF
Nennspannung: 2000V
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Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=7,5mm
Part Nummer: KB3D751K-L516BD7.5
№ 8: 8532 24 00 00
250 Stück - stock Köln
226 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.1 EUR
100+ 0.059 EUR
1000+ 0.053 EUR
100uF 450V ECR 18x41mm (ECR101M2WB-Hitano)
Produktcode: 15879
ECR_081225.pdf
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Hersteller: Hitano
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Kapazität: 100uF
Nennspannung: 450V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41mm
8532 22 00 00
12 Stück - stock Köln
200 Stück - erwartet 30.12.2021
200 Stück - erwartet
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10+ 0.98 EUR
100+ 0.84 EUR