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STW12NK90Z

STW12NK90Z

en.CD00003404.pdf
Produktcode: 31985
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3500/113
Montage: THT
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details STW12NK90Z ST

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:11A
  • On State Resistance:0.88ohm
  • Case Style:TO-247
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:900V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:113nC
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.88ohm
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Pulse Current Idm:44A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:4.5V/es
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vgs Rds N Channel:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5389 Stücke:
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25+7.13 EUR
34+5.16 EUR
100+4.05 EUR
600+3.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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34+5.07 EUR
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600+3.68 EUR
1200+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
18+5 EUR
30+4.24 EUR
90+3.68 EUR
120+3.57 EUR
150+3.49 EUR
510+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics en.CD00003404.pdf description MOSFETs N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics en.CD00003404.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 459 Stücke:
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMICROELECTRONICS SGSTS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.88 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.88ohm
auf Bestellung 806 Stücke:
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17+15.11 EUR
29+8.08 EUR
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics stw12nk90z.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z ST en.CD00003404.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STW12NK90Z description stw12nk90z.pdf
STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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MOSFETs N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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STW12NK90Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.88 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.88ohm
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
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Hersteller: ST
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 161 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
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UC3842BD1013TR
Produktcode: 40721
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UC3842BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 kA
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung 402 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.44 EUR
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RHRP8120
Produktcode: 57883
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rhrp8120-932962.pdf
RHRP8120
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 8 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 55 ns
Bemerkung: Hyperschnelle Erholung t=70 ns
Montage: THT
Durchlassspannung Vf, V: 100 А
auf Bestellung 28 St.:
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1+1.21 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Netzteil mit Stecker 12W 12V, Anschluss:2.5x5.5мм, OV-A001
Produktcode: 67291
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description
Netzteil mit Stecker 12W 12V, Anschluss:2.5x5.5мм, OV-A001
Hersteller: OV
Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)
Beschreibung: AC/DC-Adapter mit integriertem Netzstecker (Wand-), Kabellänge 87cm, Anschluss 2,5x5,5 mm.
Eingangsspannung Uin, V: 100...240 VAC
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Leistung, W: 12 W
Abmessungen, mm: 70x77(mit Stecker)x23 mm
Anschluss: 2.5x5.5 mm
verfügbar: 1196 St.
  • 226 St. - stock Köln
  • 970 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 520 St.
  • 500 St. - erwartet 21.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+8.21 EUR
10+8.09 EUR
100+8.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2999
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1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (Elektrolytkondensator)1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
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Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 250 V
Reihe: ELP
Typ: mit starren Anschlüssen, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x40 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 129 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5 EUR
10+4.66 EUR
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