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STW12NK90Z

STW12NK90Z

en.CD00003404.pdf
Produktcode: 31985
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 900
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.88
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
JHGF: THT
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Technische Details STW12NK90Z ST

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:11A
  • On State Resistance:0.88ohm
  • Case Style:TO-247
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:900V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:113nC
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.88ohm
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Pulse Current Idm:44A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:4.5V/es
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vgs Rds N Channel:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW12NK90Z STW12NK90Z Hersteller : STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STW12NK90Z STW12NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003404.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
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№ 8: 3000 годин
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