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IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Produktcode: 86447
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 150 А
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 121 St.
  • 121 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
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384+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineon_irlb4132_datasheet_en.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.71 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
88+2.64 EUR
121+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
384+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
384+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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72+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.71 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.3 EUR
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5000+1.2 EUR
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IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
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52+4.88 EUR
88+2.64 EUR
121+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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0,22 Ohm 5% 3W bedrahtet (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Produktcode: 33178
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MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W bedrahtet (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwert: 0,22 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; D Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, Miniatur
-55...+200°C
verfügbar: 187 St.
  • 187 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 64 St.
  • 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
12+0.11 EUR
100+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3661
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1230 St.
  • 1230 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.0046 EUR
270+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 260 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
82 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB--Hitano)
Produktcode: 11081
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
82 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB--Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 82 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1170 St.
  • 1170 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 47 St.
  • 47 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
62 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Produktcode: 11140
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CR-S_080911.pdf
62 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 62 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 600 St.
  • 600 St. - stock Köln
auf Bestellung: 8182 St.
  • 8182 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 7451 St.
  • 7451 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH