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IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Produktcode: 86447
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 150 А
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 122 St.
  • 122 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.83 EUR
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
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384+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.01 EUR
54+1.58 EUR
62+1.39 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.43 EUR
104+1.64 EUR
105+1.59 EUR
149+1.09 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
103+1.62 EUR
104+1.55 EUR
147+1.05 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1161 Stücke:
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1+4.32 EUR
10+2.45 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 4856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.26 EUR
50+2.49 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
76+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.83 EUR
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
384+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
384+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.01 EUR
54+1.58 EUR
62+1.39 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.43 EUR
104+1.64 EUR
105+1.59 EUR
149+1.09 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.45 EUR
103+1.62 EUR
104+1.55 EUR
147+1.05 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1161 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+2.45 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 4856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+5.07 EUR
10+3.26 EUR
50+2.49 EUR
100+2.24 EUR
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IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.2 EUR
76+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3661
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1420 St.
  • 1420 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
82 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB--Hitano)
Produktcode: 11081
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CR-S_080911.pdf
82 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB--Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 82 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1170 St.
  • 1170 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 177 St.
  • 177 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
62 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Produktcode: 11140
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CR-S_080911.pdf
62 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-62KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 62 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 600 St.
  • 600 St. - stock Köln
auf Bestellung: 8232 St.
  • 8232 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 10719 St.
  • 10719 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13795
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CR-S_080911.pdf
20 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 20 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4320 St.
  • 4320 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH