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IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132PbF.pdf
Produktcode: 86447
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 150 A
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.57 EUR
314+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.58 EUR
313+0.55 EUR
317+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.01 EUR
54+1.58 EUR
62+1.39 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.33 EUR
116+1.46 EUR
169+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.33 EUR
116+1.5 EUR
169+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 5613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.87 EUR
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON IRLB4132PbF.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
310+0.57 EUR
314+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
305+0.58 EUR
313+0.55 EUR
317+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.71 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
669+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
669+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.01 EUR
54+1.58 EUR
62+1.39 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.33 EUR
116+1.46 EUR
169+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.33 EUR
116+1.5 EUR
169+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 5613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,22 Ohm 5% 3W bedrahtet (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Produktcode: 33178
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MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W bedrahtet (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwert: 0,22 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
-55...+200°C
verfügbar: 580 St.
  • 187 St. - stock Köln
  • 393 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 29.10.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.086 EUR
10+0.067 EUR
100+0.058 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Digitales Voltmeter (0-100В Versorgung 5-24В)
Produktcode: 63099
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Digitales Voltmeter (0-100В Versorgung 5-24В)Digitales Voltmeter (0-100В Versorgung 5-24В)
Digitales Voltmeter (0-100В Versorgung 5-24В)Digitales Voltmeter (0-100В Versorgung 5-24В)
Modulare Elemente > Blöcke und Module
Beschreibung: Вольтметр цифровий ( 0-100 В, напруга живлення: 5-24 В). Розмір: довжина 33мм з кріпленнями, 23(без кріплень)x15мм. Колір: червоний
Verwendungszweck: Messung Voltmeter
Produkttyp: Fertigmodul
auf Bestellung 145 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 520 St.:
500 St. - erwartet 25.07.2026
AnzahlPrivatkunde
1+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024
Produktcode: 110848
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Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024
Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024
Hersteller: Global Tone
Modulare Elemente > Blöcke und Module
Beschreibung: Вольтметр змінної напруги 300В
Verwendungszweck: Messung Voltmeter
Produkttyp: Fertigmodul
auf Bestellung 77 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 3481
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 8170 St.
  • 455 St. - stock Köln
  • 7715 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.31 EUR
    10+0.26 EUR
    100+0.23 EUR
    1000+0.09 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH