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IRLB8721PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRLB8721PBF

  • MOSFET N CH 30V 62A TO220
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • On State Resistance:6.5mohm
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:31A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLB8721PBF IRLB8721PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb8721datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8721PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8721PBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRLB8721PBF Hersteller : Infineon infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLB8721PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlb8721pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 62 А, Ptot, Вт = 65, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1077 @ 15, Qg, нКл = 13 @ 4,5 В, Rds = 8,7 мОм @ 31 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 25 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRLB8721PBF Hersteller : VBSEMI infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLB8721PBF IRLB8721PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
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IRLB8721PBF IRLB8721PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
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Produktcode: 124979
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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