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Technische Details IRLD014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Weitere Produktangebote IRLD014PBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD014PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 5482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLD014PBF | Hersteller : VISHAY |
IRLD014PBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLD014PBF Produktcode: 37496
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLD014PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |