IRLH5034TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLH5034TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRLH5034TRPBF nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
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IRLH5034TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
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