Technische Details IRLH5036TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| IRLH5036TRPBF | Infineon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLH5036TRPBF |
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Hersteller: Infineon
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