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IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
563+0.31 EUR
581+0.3 EUR
590+0.29 EUR
600+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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Technische Details IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 37W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.49 EUR
554+0.31 EUR
563+0.29 EUR
572+0.27 EUR
581+0.26 EUR
590+0.25 EUR
600+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7988 Stücke:
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316+0.56 EUR
335+0.52 EUR
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 17157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7450 Stücke:
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764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHM620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 7096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLHM620TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHM620.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRLHM620TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
363+0.49 EUR
554+0.31 EUR
563+0.29 EUR
572+0.27 EUR
581+0.26 EUR
590+0.25 EUR
600+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+0.56 EUR
335+0.52 EUR
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IRLHM620TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRLHM620TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 17157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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IRLHM620TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
auf Bestellung 3641 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
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IRLHM620TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 7096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRLHM620TRPBF INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHM620TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBF INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHM620TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
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100+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 609 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH