IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF Infineon Technologies


infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details IRLHM630TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0028 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLHM630_DataSheet_v01_01_EN-3166573.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
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10+1.55 EUR
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500+1.00 EUR
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4000+0.74 EUR
8000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
auf Bestellung 7349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.48 EUR
12+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0028 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlhm630pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlhm630pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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