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IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
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Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20069 Stücke:
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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Hersteller: INFINEON
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IRLHS6376TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
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