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IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

irlhs6376pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663bef425af Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 110700 Stücke:
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Technische Details IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
428+0.34 EUR
485+0.29 EUR
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543+0.24 EUR
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
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361+0.4 EUR
413+0.34 EUR
428+0.31 EUR
485+0.27 EUR
489+0.25 EUR
543+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 361
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlhs6376pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663bef425af Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 110880 Stücke:
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23+0.79 EUR
38+0.47 EUR
100+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227803AA486FF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6376pbf.pdf?ci_sign=b652e0e89e6483e75af20b31fb083fa4743d19b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
128+0.56 EUR
168+0.43 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227803AA486FF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6376pbf.pdf?ci_sign=b652e0e89e6483e75af20b31fb083fa4743d19b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
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10+0.72 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
4000+0.3 EUR
24000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22919 Stücke:
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 359irlhs6376pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
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