Technische Details IRLI540NPBF Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLI540NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLI540NPBF | International Rectifier |
 HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори |
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| IRLI540NPBF | JSMSEMI |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори |
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IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
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IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl |
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IRLI540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLI540NPBF |
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Hersteller: International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRLI540NPBF |
|
Hersteller: JSMSEMI
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
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| IRLI540NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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| IRLI540NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
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| IRLI540NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Stück im Wert von UAH
| IRLI540NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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| IRLI540NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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