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Technische Details IRLI630GPBF Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP, Kind of package: tube, Power dissipation: 35W, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Case: TO220FP, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 25A, On-state resistance: 0.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 6.2A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IRLI630GPBF nach Preis ab 3.5 EUR bis 7.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRLI630GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3 |
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IRLI630GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRLI630GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRLI630GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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| IRLI630GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 25A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 6.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRLI630GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6.2A; Idm: 25A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 25A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 6.2A |
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