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IRLI640GPBF

IRLI640GPBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRLI640GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 479 Stücke:
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53+3.38 EUR
61+2.87 EUR
100+2.5 EUR
250+2.23 EUR
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY IRLI640G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 479 Stücke:
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22+3.96 EUR
28+3.06 EUR
34+2.57 EUR
43+2.02 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay doc91314.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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30+5.9 EUR
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay Semiconductors 91314.pdf MOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF Vishay Siliconix 91314.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 856 Stücke:
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4+6.03 EUR
50+4.78 EUR
100+4.11 EUR
500+3.64 EUR
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IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY VISH-S-A0013608734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 25939 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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61+2.87 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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28+3.06 EUR
34+2.57 EUR
43+2.02 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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AnzahlPrivatkunde
30+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.03 EUR
50+4.78 EUR
100+4.11 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLI640GPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 25939 Stücke:
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