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Technische Details IRLI640GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRLI640GPBF nach Preis ab 1.06 EUR bis 5.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLI640GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLI640GPBF | Hersteller : VISHAY |
IRLI640GPBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLI640GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |