IRLL014NPBF INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Technische Details IRLL014NPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote IRLL014NPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 0.57 EUR
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IRLL014NPBF Produktcode: 36808
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-223 Uds,V: 60 Idd,A: 02.07.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 04.08.400 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
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IRLL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
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IRLL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
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IRLL014NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC |
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IRLL014NPBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 0.14Ω |
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