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IRLL024NTRPBF

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Produktcode: 92254
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRLL024NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:4.4A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):100mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.24 EUR
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.38 EUR
25000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.71 EUR
274+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3010 Stücke:
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171+0.86 EUR
239+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10963 Stücke:
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159+0.92 EUR
207+0.68 EUR
274+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
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155+0.94 EUR
156+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
96+0.75 EUR
134+0.53 EUR
155+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.45 EUR
154+0.92 EUR
155+0.88 EUR
156+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
auf Bestellung 12687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 54062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 17449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 17449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.23 EUR
25000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
7500+0.27 EUR
12500+0.25 EUR
17500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.34 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
12500+0.28 EUR
25000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
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AnzahlPreis
2500+0.34 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.27 EUR
17500+0.26 EUR
25000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 49180 Stücke:
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AnzahlPreis
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10000+0.36 EUR
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.42 EUR
10000+0.38 EUR
15000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
465+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.38 EUR
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
207+0.71 EUR
274+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3010 Stücke:
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AnzahlPreis
171+0.86 EUR
239+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10963 Stücke:
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AnzahlPreis
159+0.92 EUR
207+0.68 EUR
274+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
155+0.94 EUR
156+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
65+1.1 EUR
96+0.75 EUR
134+0.53 EUR
155+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
101+1.45 EUR
154+0.92 EUR
155+0.88 EUR
156+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
auf Bestellung 12687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.74 EUR
10+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 54062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 17449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 17449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH