IRLL110PBF

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sihll110.pdf
Produktcode: 22278
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLL110PBF IRLL110PBF Hersteller : Vishay sihll110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
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IRLL110PBF IRLL110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihll110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
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IRLL110PBF IRLL110PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihll110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
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IRLL110PBF IRLL110PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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