IRLL110TRPBF
Produktcode: 119073
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 9836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLL110TRPBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.5A, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 9686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLL110TRPBF |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay/IR |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6.1 @ 5, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLL110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |