IRLL2705 PBF
Produktcode: 20389
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 55
Idd,A: 03.08.2015
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 870/32
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLL2705 PBF IR
- MOSFET, N, 55V, 3.8A, SOT-223
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:3.8A
- On State Resistance:0.04ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:SOT-223
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:7.3mm
- External Length / Height:1.7mm
- External Width:6.7mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:60`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2.5V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.1W
- Power Dissipation Pd:2.1W
- Pulse Current Idm:30A
- SMD Marking:LL2705
- Tape Width:12mm
- Transistor Case Style:SOT-223
Weitere Produktangebote IRLL2705 PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLL2705PBF | International Rectifier |
 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT-223 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IRLL2705PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 80 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRLL2705PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
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 |
IRLL2705PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC |
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| IRLL2705PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT-223 Транзистори
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT-223 Транзистори
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| IRLL2705PBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
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Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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| IRLL2705PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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| IRLL2705PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
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