IRLM220ATF

IRLM220ATF onsemi / Fairchild


IRLM220A_D-2314629.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel A-FET
auf Bestellung 22328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+1.27 EUR
100+0.97 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLM220ATF onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4, Supplier Device Package: SOT-223-4, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Obsolete.

Weitere Produktangebote IRLM220ATF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLM220ATF irlm220a-d.pdf
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLM220ATF Hersteller : On Semiconductor irlm220a-d.pdf MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLM220ATF Hersteller : ON Semiconductor IRLM220A_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,13 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 800 мОм @ 570 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLM220ATF IRLM220ATF Hersteller : onsemi irlm220a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4
Supplier Device Package: SOT-223-4
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH