IRLM220ATF ON Semiconductor
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Technische Details IRLM220ATF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.13, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRLM220ATF nach Preis ab 0.50 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLM220ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLM220ATF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel A-FET |
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IRLM220ATF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRLM220ATF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.13 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLM220ATF |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLM220ATF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
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IRLM220ATF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
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