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IRLML0060TR UMW

860db7706ea26bb89db5d24d07e6c50a.pdf Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TR; SP001568948; IRLML0060TR UMW TIRLML0060 UMW
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Technische Details IRLML0060TR UMW

Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML0060TR Hersteller : HXY MOSFET 860db7706ea26bb89db5d24d07e6c50a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 115mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TR; SP001568948; IRLML0060TR HXY MOSFET TIRLML0060 HXY
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IRLML0060TR Hersteller : Infineon 860db7706ea26bb89db5d24d07e6c50a.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TR; IRLML0060; SP001568948; IRLML0060; IRLML0060TR TIRLML0060
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IRLML0060TR IRLML0060TR Hersteller : UMW 860db7706ea26bb89db5d24d07e6c50a.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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