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IRLML0100TR

IRLML0100TR UMW

bdd29370961a95da859e169674820867.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Technische Details IRLML0100TR UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Weitere Produktangebote IRLML0100TR nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.30 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML0100TR Hersteller : HXY MOSFET bdd29370961a95da859e169674820867.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY
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IRLML0100TR Hersteller : UMW bdd29370961a95da859e169674820867.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR UMW TIRLML0100 UMW
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IRLML0100TR Hersteller : Infineon bdd29370961a95da859e169674820867.pdf N-MOSFET 1.6A 100V 1.3W 0.22Ω IRLML0100 TIRLML0100
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IRLML0100TR Hersteller : Infineon bdd29370961a95da859e169674820867.pdf N-MOSFET 1.6A 100V 1.3W 0.22Ω IRLML0100 TIRLML0100
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