IRLML2803TR UMW
Hersteller: UMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
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Technische Details IRLML2803TR UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| IRLML2803TR | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| IRLML2803TR | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| IRLML2803 TR | Hersteller : IR |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
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