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IRLML2803TR UMW

IRLML2803.pdf Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
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Technische Details IRLML2803TR UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.

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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF
Produktcode: 27051
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Hersteller : IR irlml2803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356682aff260f Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML2803TR Hersteller : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
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IRLML2803TR Hersteller : Infineon IRLML2803.pdf N-MOSFET 1.2A 30V 0.54W 0.25Ω IRLML2803 TIRLML2803
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IRLML2803 TR Hersteller : IR
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IRLML2803TR IRLML2803TR
Produktcode: 193658
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Hersteller : Китай IRLML2803.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML2803TR IRLML2803TR Hersteller : Infineon Technologies irlml2803.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2803TR IRLML2803TR Hersteller : Infineon Technologies IRLML2803.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
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