IRLML2803TR UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2803GTR; IRLML2803TR; SP001550482; SP001572964; SP001558316; IRLML2803TR UMW TIRLML2803 UMW
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Technische Details IRLML2803TR UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V.
Möglichen Substitutionen IRLML2803TR UMW
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IRLML2803TRPBF Produktcode: 27051
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 Idd,A: 01.02.2015 Rds(on), Ohm: 0.25 Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon |
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IRLML2803 TR | Hersteller : IR |
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IRLML2803TR Produktcode: 193658
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Hersteller : Китай |
![]() Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 1,2 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML2803TR | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
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