Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRLML2803TRPBF
IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
Produktcode: 27051
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 917 St.
  • 917 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRLML2803TRPBF nach Preis ab 0.09 EUR bis 1.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.33 EUR
534+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
451+0.38 EUR
692+0.25 EUR
890+0.19 EUR
1043+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
451+0.38 EUR
692+0.24 EUR
890+0.18 EUR
1043+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.093 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
233+0.37 EUR
348+0.25 EUR
414+0.2 EUR
506+0.17 EUR
589+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 322978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 193736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.06 EUR
402+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 193736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.06 EUR
402+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML2803_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
auf Bestellung 779728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF International Rectifier/Infineon IRLML2803PBF.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 31 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
515+0.33 EUR
534+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
451+0.38 EUR
692+0.25 EUR
890+0.19 EUR
1043+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
451+0.38 EUR
692+0.24 EUR
890+0.18 EUR
1043+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.093 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+0.51 EUR
233+0.37 EUR
348+0.25 EUR
414+0.2 EUR
506+0.17 EUR
589+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
404+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 322978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 193736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+1.06 EUR
402+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 193736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+1.06 EUR
402+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF Infineon_IRLML2803_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
auf Bestellung 779728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.13 EUR
10+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803PBF.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 31 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Produktcode: 17877
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 10 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 08.08.2026
auf Bestellung: 520 St.
  • 520 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.25 EUR
10+0.21 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF
Produktcode: 22366
18 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1866 St.
  • 1866 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)
Produktcode: 157424
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml5103tr-datasheet.pdf
IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 0,76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 75/3,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 1269 St.
  • 1269 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-10MQ040NTRPBF
Produktcode: 36659
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
10mq040ntrpbf.pdf
VS-10MQ040NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,54 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
auf Bestellung: 558 St.
  • 558 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.17 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Produktcode: 149389
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl21a225kbfnnne.pdf
2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2 мкФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
10+0.07 EUR
100+0.058 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH