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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
Produktcode: 27051
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 849 St.
  • 849 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.33 EUR
534+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+0.42 EUR
558+0.3 EUR
675+0.24 EUR
920+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+0.42 EUR
558+0.31 EUR
675+0.25 EUR
920+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
auf Bestellung 18620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.52 EUR
228+0.37 EUR
338+0.25 EUR
404+0.21 EUR
496+0.17 EUR
575+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML2803_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
auf Bestellung 746179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
47+0.45 EUR
64+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 189209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
390+0.6 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 189209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
390+0.6 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRLML2803TRPBF International Rectifier/Infineon IRLML2803PBF.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 31 Stücke:
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IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
515+0.33 EUR
534+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
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IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
416+0.42 EUR
558+0.3 EUR
675+0.24 EUR
920+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
416+0.42 EUR
558+0.31 EUR
675+0.25 EUR
920+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
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IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
auf Bestellung 18620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+0.52 EUR
228+0.37 EUR
338+0.25 EUR
404+0.21 EUR
496+0.17 EUR
575+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineonirlml2803datasheetv0101en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
404+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF Infineon_IRLML2803_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
auf Bestellung 746179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
47+0.45 EUR
64+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 189209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
390+0.6 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 189209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
390+0.6 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Produktcode: 17877
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taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (Tantal-Kondensator SMD)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 10 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
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IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)
Produktcode: 157424
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IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 0,76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 75/3,4
Montage: SMD
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VS-10MQ040NTRPBF
Produktcode: 36659
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VS-10MQ040NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,54 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
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2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Produktcode: 149389
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cl21a225kbfnnne.pdf
2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2 мкФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
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