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IRLML2803TRPBF

Name: IRLML2803TRPBF
Brand: IR
SKU: 27051
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

irlml2803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356682aff260f

Produktcode: 27051

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlml2803-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V

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6000+	0.11 EUR
9000+	0.088 EUR
15000+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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526+	0.27 EUR
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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLML2803_DataSheet_v01_01_EN-3363559.pdf

MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

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3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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207+	0.35 EUR
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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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207+	0.35 EUR
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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V

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61+	0.29 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 1,2 А; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25; Qg, нКл = 5 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23-3

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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие

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IRLML2803TRPBF

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IRLML9303TRPBF
Produktcode: 38416

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.165
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD

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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90

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IRLML6346TRPBF
Produktcode: 48281

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irlml6346pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 133 Stück

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10+	0.09 EUR

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)

Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805

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