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IRLML2803TRPBF

Name: IRLML2803TRPBF
Brand: IR
SKU: 27051
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 27051

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar 1386 Stück:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 23179 Stücke:

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944+	0.15 EUR

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5215 Stücke:

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450+	0.32 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.28 EUR
2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 450

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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450+	0.32 EUR
500+	0.3 EUR
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2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 450

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
209+	0.34 EUR
275+	0.26 EUR
304+	0.24 EUR
391+	0.18 EUR
443+	0.16 EUR
538+	0.13 EUR
642+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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209+	0.34 EUR
275+	0.26 EUR
304+	0.24 EUR
391+	0.18 EUR
443+	0.16 EUR
538+	0.13 EUR
642+	0.11 EUR
1000+	0.093 EUR
3000+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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513+	0.27 EUR
869+	0.15 EUR
933+	0.14 EUR
1052+	0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 295

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

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5+	0.61 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 34548 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

auf Bestellung 450 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 1,2 А; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25; Qg, нКл = 5 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23-3

auf Bestellung 207 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие

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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : UMW

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

auf Bestellung 2800 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - MOSFET, N-KANAL, LOGIK, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 34548 Stücke:

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V

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IRLML2803TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V

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47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Produktcode: 17877

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47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)

Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000

auf Bestellung 4929 Stück:

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100+	0.11 EUR
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366

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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT

auf Bestellung 1291 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Produktcode: 149389

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2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)

Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805

auf Bestellung 21390 Stück:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)
Produktcode: 157424

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Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 0,76 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 75/3,4
/: SMD

auf Bestellung 1714 Stück:

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VS-10MQ040NTRPBF
Produktcode: 36659

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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40 V
If(A): 1 A
VF@IF: 0,54 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A

auf Bestellung 653 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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