Technische Details IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 540mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Weitere Produktangebote IRLML5103TRPBF nach Preis ab 0.075 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 879000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 564166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 558000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 26726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.54W |
auf Bestellung 4011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
auf Bestellung 130377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
auf Bestellung 92058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLML5103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 13946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLML5103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 13946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | KLS |
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 3252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML5103TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1538 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 879000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 564166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4127+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| 100000+ | 0.12 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 558000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4127+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| 100000+ | 0.12 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
| 21000+ | 0.17 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 503+ | 0.35 EUR |
| 1044+ | 0.17 EUR |
| 1458+ | 0.11 EUR |
| 1786+ | 0.088 EUR |
| 1997+ | 0.075 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 451+ | 0.39 EUR |
| 603+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.15 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.54W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.54W
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 0.58 EUR |
| 206+ | 0.42 EUR |
| 365+ | 0.24 EUR |
| 521+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 374+ | 0.83 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
auf Bestellung 130377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 1 EUR |
| 35+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
auf Bestellung 92058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 13946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 13946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Hersteller: KLS
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 3252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.32 EUR |
| IRLML5103TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1538 Stücke:






