IRLML6302PBF Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23
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Technische Details IRLML6302PBF Infineon Technologies

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -0.62A, Power dissipation: 0.54W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: logic level, Gate charge: 2.4nC, On-state resistance: 0.6Ω, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML6302PBF IRLML6302PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58260AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6302.pdf?ci_sign=7f43a566c70f26b0887c4ecc5e40dcaf741cf68e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML6302PBF IRLML6302PBF Hersteller : Infineon / IR MOSFETs
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IRLML6302PBF IRLML6302PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58260AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6302.pdf?ci_sign=7f43a566c70f26b0887c4ecc5e40dcaf741cf68e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
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