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IRLML6302TR UMW

IRLML6302.pdf Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6302TR; IRLML6302GTR; SP001574060; SP001550492; IRLML6302TR UMW TIRLML6302 UMW
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Technische Details IRLML6302TR UMW

Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.

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IRLML6302TR Hersteller : Infineon IRLML6302.pdf P-MOSFET 0.62A 20V 0.54W 0.6Ω IRLML6302 TIRLML6302
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IRLML6302TR Hersteller : IR IRLML6302.pdf Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
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IRLML6302 TR Hersteller : IR
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IRLML6302TR IRLML6302TR Hersteller : Infineon Technologies IRLML6302.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
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