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IRLML6344TRPBF

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Produktcode: 208132
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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IR irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4299 St.
  • 4299 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.11 EUR
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
968+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 968 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.49 EUR
565+0.3 EUR
756+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 8175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
279+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 8175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
279+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLML6344TRPBF Infineon irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 40 Stücke:
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12+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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1000+0.098 EUR
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 968 Stücke
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
5000+0.37 EUR
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IRLML6344TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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565+0.3 EUR
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 25 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Hersteller: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
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