IRLML6402TR Infineon
Hersteller: InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 TIRLML6402
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| Anzahl | Preis |
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| 200+ | 0.15 EUR |
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Technische Details IRLML6402TR Infineon
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote IRLML6402TR nach Preis ab 0.19 EUR bis 2.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6402TR | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER |
P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | Hersteller : IR - ASA only Supplier |
CUT T&R Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin Micro T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLML6402TR | Hersteller : IR - ASA only Supplier |
CUT T&R Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin Micro T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML6402TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML6402TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |