IRLMS6702TRPBF
Produktcode: 53730
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRLMS6702TRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl |
auf Bestellung 4507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLMS6702TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLMS6702TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLMS6702TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |