IRLMS6802TRPBF (IR)


irlms6802pbf-1228281.pdf
Produktcode: 26801
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRLMS6802TRPBF (IR) nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
346+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
346+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies irlms6802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669349a2654 Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLMS6802-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.84 EUR
346+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.84 EUR
346+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
166+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF irlms6802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669349a2654
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF Infineon-IRLMS6802-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH