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IRLMS6802TRPBF (IR)

IRLMS6802TRPBF (IR)

irlms6802pbf-1228281.pdf
Produktcode: 26801
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
4+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.76 EUR
329+0.51 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.08 EUR
232+0.71 EUR
335+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies irlms6802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669349a2654 Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLMS6802-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+0.76 EUR
329+0.51 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.08 EUR
232+0.71 EUR
335+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRLMS6802TRPBF
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MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.38 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF infineonirlms6802datasheetv0101en.pdf
IRLMS6802TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLMS6802TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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