IRLR014 Siliconix
Hersteller: SiliconixN-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 Vishay TIRLR014
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Technische Details IRLR014 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLR014 nach Preis ab 1.13 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRLR014 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014N TIRLR014n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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IRLR014 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
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IRLR014 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014PBF |
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